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从nor flash转向使用CS SD NAND：为什么必须加入缓存（Cache）机制？
http://www.longsto.com/search/search.php/news/352.html在传统使用 NOR Flash 的系统中，工程师通常习惯“随写随存”：写入数据粒度小，可以随机写入，不需要复杂的缓存或写入管理机制。不过随着使用场...
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从NOR Flash 到 NAND Flash 和SD NAND，从底层结构到应用差异
http://www.longsto.com/search/search.php/news/353.html在嵌入式系统开发中，“存储选型”是经常会遇到的问题，特别是许多曾长期使用 NOR Flash 的工程师，在切换到 NAND Flash 时常常感...
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什么是语音模块？雷龙LSYT201B应用(语音控制电机)
http://www.longsto.com/search/search.php/news/312.html脚，但是我们这里只关注TX和RX。有一个点需要注意，电源供电的范围是3V-5.5V，这是芯片的供电范围，但是如果要用到喇叭供电必须要在3.5V以上才...
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基于Zynq FPGA对雷龙SD NAND的测试
http://www.longsto.com/search/search.php/news/134.html速度(使用4条并行数据线)工作温度：-40°C ~ +85°C存储温度：-55°C ~ +125°C待机电流小于250uA修正内存字段错误；内容保护...
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K210使用创世NAND flash完成火灾检测
http://www.longsto.com/search/search.php/news/292.htmllcd.draw_string(i.x()+45, i.y()-5, labels[i.classid()]+" "+'%.2f'%i.v...
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深圳雷龙LSYT201B语音控制模组
http://www.longsto.com/search/search.php/news/291.html\l2cap core 5.3 电源 VBAT 主供电 DC：3.0-5.5V VDDIO 接口电平，输出，50mA@ 2.2-3.6V 封...
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【CS创世 SD NAND】SD NAND芯片的测评与使用（基于卷积神经网络的数字识别）
http://www.longsto.com/search/search.php/news/280.htmlc（使用4条并行数据线路）。高速模式：在高速模式下，时钟频率可变范围为0-50 MHz，接口速度高达25 MB/sec（使用4条并行数据线路）。对照...
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“Flash闪存”基础 及 “SD NAND Flash”产品的测试
http://www.longsto.com/search/search.php/news/64.html12.5 MB/秒接口速度（使用4条并行数据线）高速模式：可变时钟频率0-50 MHz，最高25 MB/秒接口速度（使用4条并行数据线）工作温度：-...
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关于北京君正：外研通新款中英文双模扫读笔应用案例
http://www.longsto.com/search/search.php/news/77.html北京外国语大学外研社外研通新品上市啦！外研通VT-S20✔️一支小可爱=点读笔+扫描笔5000多本点读书随心点，扫描点查都专业！✔️轻轻点一点=学英语...
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SD NAND与eMMC优劣势对比
http://www.longsto.com/search/search.php/news/7.html最近我们接触到一些客户，本来客户计划使用eMMC，但总觉得哪里不满意。后来跟客户做了深入沟通。你们真实的想要什么样的eMMC呢？他们给出的答案...
