高可靠性、高精度实时时钟模块SD2400系列

　　内置晶振、电池、串行NVSRAM/EEPROM、12字节用户SRAM、IIC接口、多种中断输出

　　概述：

　　SD2400系列是一种具有内置晶振、支持IIC串行接口的高精度实时时钟芯片，CPU可使用该接口通过5位地址寻址来读写片内32字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。SD2400系列内置晶振,该芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25℃下)，即年误差小于2.5 分钟；该芯片内置时钟精度调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力3ppm)。SD2400系列内置的一次性工业级电池或充电电池可保证在外部掉电情况下时钟使用寿命为5～8年时间。SD2400系列采用了多种提高芯片可靠性的技术,可满足对实时时钟芯片的各种需要，是在选用高精度实时时钟时的理想选择。

　　主要性能特点：

　　>低功耗： 1.0μA 典型值(时钟电路部分，Ta=25℃)。

　　>工作电压：3.3V～5.5V，工作温度：民用级0℃～70℃，工业级－40℃～+85℃（均有宽温型号选择，请看相应型号资料）。

　　>标准IIC总线接口方式, 时钟电路最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。

　　>年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。

　　>闰年自动调整功能(从2000年～2099年)。

　　>可选择12/24小时制式.

　　>内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器。

　　>内置12字节用户SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。

　　>可设定并自动重置的单路报警中断功能（时间范围最长设至100年）,年、月、日、星期、时、分、秒报警共有96种组合方式，并有单事件报警            和周期性报警两种中断输出模式.

　　>周期性频率中断输出:从32768Hz～1/16Hz……1秒共十五种方波脉冲.

　　>自动重置的8位倒计时定时器,可选的四种时钟源（4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ）。

　　>三种中断均可选择从INT脚输出,并具有两个中断标志位.

　　>内置晶振，出厂前已对时钟进行校准，时钟精度为±5ppm(在25℃±1℃下)，即年误差小于2.5 分钟。

　　>内置时钟精度数字调整功能，可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置或内置的温度传感器，设定适应温度变化的调整值，可实现在宽温

　　范围内高精度的计时功能(在-40℃～85℃小于±5ppm)。

　　>内置备电自动切换功能 ，芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。

　　>在VBAT模式下，芯片具有中断输出允许或禁止的功能,可满足在备用电池供电时输出中断的需要。

　　>内置的充电电池及充电电路，在电池满充时可保证内部时钟走时超过半年，累计电池电量超过550mAh,电池使用寿命为5～8年时间；内置的

　　一次性民用级电池使用寿命为3～5年，一次性工业级电池使用寿命为5～8年时间。

　　>内置的16kbit～256kbit非易失性SRAM（C/D/E型）,其读写次数为100亿次，且内部写延时小于300ns。

　　>内置的2kbit～256kbitE2PROM（F/B/C/D/E型）,其擦写次数100万次

　　>内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),保证时钟数据的有效性及可靠性,避免总线挂死问题。

　　>内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作，可更好地保护时钟数据。

　　>内置VBAT模式IIC总线通信禁止功能，从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量，也可避免在主电源上、下电的过程中因CPU

　　的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。

　　>内置上电复位电路及指示位;内置电源稳压,内部计时电压可低至1.5V。

　　>芯片管脚抗静电(ESD)>4KV。

　　>芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。

       型号列表:

　　管脚设置:

　　原理框图: